Transistor Mosfet APM3023N 30A 30V TO-252

TRANSISTOR MOSFET APM3023N 30A 30V TO-252

O APM3023N é um MOSFET de modo de aprimoramento de canal N (N-Channel Enhancement Mode MOSFET) fabricado pela Anpec Electronics Corporation. Ele é um tipo de transistor de efeito de campo (FET) usado principalmente como um interruptor eletrônico.

Aqui está um resumo de suas características e aplicações principais:

Características Principais
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 30V

Corrente de Dreno (ID): 30A
Resistência Dreno-Fonte na Condução (RDS(ON)):  15mO (mili-Ohms) com VGS=10V e 22mO com VGS=5V. Uma RDS(ON) baixa significa menos perdas de energia (e, portanto, menos calor) quando o MOSFET está conduzindo.

Design de Célula de Alta Densidade: Isso permite que o componente suporte altas potências e correntes, otimizando o espaço no chip.

Capacidade de Alta Potência e Corrente: Projetado para lidar com aplicações que exigem chaveamento de alta potência e corrente.

Encapsulamentos: TO-252

Aplicações Típicas
Devido às suas características de baixa resistência na condução, alta capacidade de corrente e operação eficiente como chave, o APM3023N é amplamente utilizado em:

Reguladores Chaveados (Switching Regulators): Essenciais para converter eficientemente uma tensão de entrada em uma tensão de saída diferente (maior ou menor).

Conversores Chaveados (Switching Converters): Aplicações gerais de conversão de energia onde a eficiência é crucial, como fontes de alimentação e circuitos de gerenciamento de bateria.

Acionamento de Motores DC: Pode ser usado para controlar a velocidade e a direção de motores DC.

Chaveamento de Carga: Atuando como um interruptor para ligar e desligar cargas em circuitos eletrônicos.

Proteção de Bateria: Em circuitos de proteção de bateria, para controlar o fluxo de corrente e evitar sobrecarga ou descarga excessiva.

Em resumo, o APM3023N é um MOSFET de potência versátil e eficiente, ideal para aplicações que exigem chaveamento rápido e manipulação de corrente significativa com perdas mínimas.