Diodo Comutação MMBD914LT1G 100V 200mA SOT-23-3 50 Peças

Diodo Comutação MMBD914LT1G 100V 200mA SOT-23-3 50 Peças

O MMBD914LT1G é um diodo de comutação de alta velocidade (High-Speed Switching Diode), fabricado por empresas como a onsemi (antiga ON Semiconductor). Ele é projetado para aplicações que exigem chaveamento rápido, ou seja, a capacidade de ligar e desligar correntes elétricas de forma muito ágil.

Características Principais
Tipo de Diodo: Diodo de comutação (switching diode). Ao contrário de diodos retificadores que convertem AC em DC, os diodos de comutação são otimizados para operar em altas frequências, mudando de estado de condução para bloqueio (e vice-versa) muito rapidamente.

Tensão Reversa Máxima (VRRM): 100 V. Isso indica a tensão máxima que o diodo pode suportar no sentido inverso sem entrar em ruptura.

Corrente Média Direta (Io): 200 mA (miliampères). É a corrente média que o diodo pode conduzir no sentido direto.

Corrente de Pico Máxima: 500 mA. A corrente máxima que o diodo pode suportar por um curto período de tempo.

Tempo de Recuperação Reversa (trr): 4 ns (nanossegundos). Esta é uma característica crucial para diodos de comutação. Um tempo de recuperação baixo significa que o diodo passa do estado de condução para o estado de bloqueio muito rapidamente, minimizando perdas e distorções em aplicações de alta frequência.

Tensão Direta (Vf): Tipicamente 1 V @ 10 mA. É a queda de tensão através do diodo quando ele está conduzindo corrente no sentido direto.

Capacitância do Diodo (Cd): Tipicamente 4 pF @ 0V, 1MHz. Uma capacitância baixa também é importante para alta velocidade, pois capacitâncias parasitas podem atrasar a comutação.

Potência de Dissipação (Pd): Aproximadamente 225 mW. É a quantidade máxima de energia que o diodo pode dissipar como calor.

Temperatura de Operação: Varia de -55°C a +150°C, indicando sua robustez em diferentes ambientes.

Encapsulamento: SOT-23-3 (também conhecido como SOT-23, SC-59, TO-236). Este é um pacote de montagem em superfície (SMD) muito pequeno e comum, ideal para placas de circuito impresso com espaço limitado.

Status de Conformidade: Geralmente RoHS Compliant e Livre de Halogênio/BFR. Algumas versões (com o prefixo "S") são qualificadas para aplicações automotivas (AEC-Q101).

Aplicações Típicas
Devido à sua alta velocidade e tamanho compacto, o MMBD914LT1G é amplamente utilizado em:

Chaveamento de Alta Velocidade: Em circuitos digitais e analógicos onde é necessário ligar e desligar rapidamente sinais ou correntes.

Comunicação de Dados: Em interfaces de comunicação onde a integridade do sinal em alta frequência é importante.

Circuitos de Clippagem e Grampeamento: Para proteger componentes sensíveis, limitando a tensão a um nível seguro.

Retificação de Sinal Pequeno: Em aplicações de RF (Radiofrequência) e outras áreas onde a retificação de sinais de baixa potência em alta frequência é necessária.

Eletrônicos de Consumo: Presente em uma vasta gama de dispositivos, como smartphones, tablets, câmeras, fones de ouvido, etc.

Aplicações Automotivas: Em sistemas eletrônicos veiculares que exigem componentes confiáveis e de resposta rápida.

Em resumo, o MMBD914LT1G é um diodo de comutação versátil e rápido em um pacote SMD minúsculo, sendo uma escolha popular para projetistas que necessitam de um componente confiável para chaveamento em aplicações de alta frequência e espaço restrito.

Fabricante: onsemi 
Categoria do produto: Diodos de comutação de pequeno sinal  
Produto: Diodos de comutação 
Estilo de montagem: SMD/SMT 
Pacote/Caixa: SOT-23-3 
Tensão reversa de pico: 100 V 
Corrente de pico máxima: 500 mA 
Se - Corrente Direta: 200 mA 
Configuração: Solteiro 
Tempo de recuperação: 4 ns 
Vf - Tensão Direta: 1 V 
Ir - Corrente Reversa: 5 uA 
Temperatura mínima de operação: - 55°C 
Temperatura máxima de operação: + 150 °C 
Série: MMBD914L 
Altura: 0,94 milímetros 
Comprimento: 2,9 milímetros 
Tipo: Diodo de comutação 
Largura: 1,3 milímetros 
Peso unitário: 30 mg